國家知識產權局信息顯示，國際商業機器公司申請一項名為“具有介電絕緣層的堆疊晶體管”的專利，公開號CN121241682A，申請日期為2024年6月絕緣管 。

專利摘要顯示，一種半導體結構包括：第一堆疊器件，其具有包含一個或多個第一納米片層的第一場效應晶體管、包含一個或多個第二納米片層的第二場效應晶體管；以及位于所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管之間的第一介電絕緣層，所述第一介電絕緣層具有第一寬度絕緣管 。半導體結構還包括與第一堆疊器件相鄰的第二堆疊器件。第二堆疊器件具有包含一個或多個第三納米片層的第三場效應晶體管、包含一個或多個第四納米片層的第四場效應晶體管、以及位于第三場效應晶體管和第四場效應晶體管之間的第二介電絕緣層。第二介電絕緣層具有小于第一介電絕緣層的第一寬度的第二寬度。

聲明：市場有風險，投資需謹慎絕緣管 。本文為AI基于第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。

來源：市場資訊